Усилитель

Для биполярных — это всего единицы пли даже сотни ом, тогда как для полевых — это десятки и сотни мегом, т. е. практически бесконечно большая величина.

Эквивалентная схема и граф для верхних частот

Физические основы работы транзистора подробно рассматриваются в курсе электронных приборов. Сложность процессов, протекающих в транзисторах и трудность получения точных аналитических выражений для их описания привели к появлению большого числа приближенных эквивалентных электрических схем, которые с большей или меньшей точностью отражают реальные свойства транзисторов в широком диапазоне частот.

Наибольшее признание получила физическая эквивалентная схема, предложенная Джиаколетто (рис. 5.12). Она позволяет, хотя и упрощенно, представить частотную зависимость параметров транзистора и дает вполне удовлетворительную аппроксимацию его свойств для всех частот, на которых он может эффективно использоваться в усилительных схемах. В этой эквивалентной схеме скопление носителей разных знаков вблизи переходов и процессы их диффузии приближенно отражены емкостями, шунтирующими эти переходы. Малое сопротивление входною перехода, включенного в прямом направлении, представлено проводимостью. Усилитель рассчитывают, начиная с выходного каскада, затем переходят к предоконечному и т. д. вплоть до входного. В каждом случае, зная К каскада, можно вычислить его, и только зная, уже можно найти усиление предшествующего каскада, для которого указанная проводимость является нагрузкой. Это, в свою очередь, позволяет найти предшествующего каскада и усиление каскада, включенного перед ним, и т. д. Таким образом, для расчета транзисторных усилителей можно воспользоваться более простой эквивалентной схемой, нагруженного транзистора (рис. 5.Не). Ее входная цепь содержит только проводимость, а выходная — те же элементы, что и схема рис. 5.116. По существу, такие же соображения позволили в § 5.1 использовать в качестве эквивалента полевого транзистора схему рис. 5.8. Она отличается от схемы рис. 5.11в только, характером входной проводимости.

Низкочастотные параметры большинства современных маломощных биполярных транзисторов лежат в пределах. Следовательно, крутизна характеристики этих транзисторов, как правило, намного превосходит крутизну полевых транзисторов. Их внутренние сопротивления имеют одинаковый порядок. Наиболее же существенная разница между полевыми и биполярными транзисторами, как подчеркивалось выше, состоит в несоизмеримости их входных сопротивлений.

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *